이귀로 부사장(왼쪽), KAIST 나노종합팹센터 이희철 소장

 <기업뉴스> LG전자(대표 김쌍수(金雙秀), www.lge.com)가 KAIST 나노종합팹센터와 공동 연구개발체제를 구축함으로써 나노분야 기술 연구개발을 강화한다. 21일 LG전자와 KAIST 나노종합팹센터는 LG전자 전자기술원장 이귀로 부사장, KAIST 나노종합팹센터 이희철 소장 등 관련자가 참석한 가운데 나노종합팹센터에서 'LK 나노연구센터' 개소식을 가졌다. 'LK 나노 연구센터'는 KAIST 나노종합팹센터내 마련되며, 나노 학술, 연구 및 연구인력 교류의 場으로 활용될 예정이다. 또한 LG전자와 나노종합팹센터는 학술, 연구 및 연구시설 교류협정서를 체결함으로써 나노종합팹센터의 연구시설, 장비 및 인프라 활용을 이용한 첨단 기술 연구는 물론 연구인력 상호교류 등이 활발해 질 것으로 보인다. 이로써 LG전자는 KAIST 나노종합팹센터와 나노분야 기술 공동연구개발 협력관계를 구축해 향후 나노기술 개발 과제 발굴 및 개발을 통한 상용화를 선도해 나갈 계획이다. LG전자기술원장 이귀로 부사장은 "LG전자는 LK나노연구센터를 통한 학연산관 협력을 강화함으로써 효율적인 나노기술 R&D 및 산업화에 더욱 앞장 설 것"이라고 밝혔다. 한편, KAIST 나노종합팹센터는 과학기술부의 지원으로 나노소자, 소재, 공정, 물리원천, 바이오 분야의 핵심 연구장비와 클린룸 시설을 갖춘 나노기술 종합연구지원시설로 나노기술 개발의 핵심거점 역할을 수행하고 있는 국가 연구센터이다.<배현태=아침일보 통합기자>
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